HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS-Logik Anwendung. Zuvor waren Strukturgrößen von 6µm bis 10 µm etabliert. Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.[1]
| Generation | Einführung | Kanallänge | Gatterverzögerung |
|---|---|---|---|
| HMOS I | 1976 | ≈3µm | 100ns |
| HMOS II | 1979 | ≈2µm | 30ns |
| HMOS III | 1982 | ≈1,5µm | 10ns |
Literatur
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund:HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits. Band16, Nr.5, Oktober 1981, S.454–459, doi:10.1109/JSSC.1981.1051622.
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ vgl. Wadhwa:Microprocessor 8085: Architecture Programming And Interfacing. PHI Learning Pvt. Ltd., 2010, ISBN 978-81-203-4013-8, S.9 (eingeschränkte Vorschauin der Google-Buchsuche).
- ↑ Dieter Sautter, Hans Weinerth:Lexikon Elektrotechnik und Mikroelektronik. 2. Auflage. Springer, Berlin 1993, ISBN 978-3-540-62131-7, S.454.
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