Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu.
Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.
Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz.
Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) wynosi 1,424 eV.
Arsenek galu stosuje się m.in. w produkcji:
- ↑ a b c David R.D.R. Lide David R.D.R. (red.), CRC Handbook of Chemistry and Physics, wyd. 90, Boca Raton: CRC Press, 2009, s. 4-64, ISBN 978-1-4200-9084-0 (ang.).
- ↑ Gallium arsenide, [w:] PubChem [online], United States National Library of Medicine, CID: 14770 [dostęp 2022-02-06] (ang.).
- ↑ a b Arsenek galu [PDF] [online], karta charakterystyki produktu Sigma-Aldrich, 8 września 2021, numer katalogowy: 329010 [dostęp 2022-02-06]. (przeczytaj, jeśli nie wyświetla się prawidłowa wersja karty charakterystyki)
- ↑ Arsenek galu [PDF] [online], karta charakterystyki produktu Sigma-Aldrich, numer katalogowy: 329010 [dostęp 2012-01-26] (ang.). (przeczytaj, jeśli nie wyświetla się prawidłowa wersja karty charakterystyki)
