高通再發力 新旗艦驍龍835來襲 充電更快 三星S8首發

2016/11/18 來源：39度

17日，高通宣布將與三星電子合作開發下一代旗艦級處理器，據說是跨過830，直接命名為驍龍835。835將採用三星最先進的10nm製造工藝。另外，高通表示835將支持最新的快充技術Quick Charge 4.0，要比上一代快上20%。

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據悉，今年10月份，三星就率先公布了10納米工藝的量產，與上代14納米工藝相比，10納米可以減少30%的晶片尺寸，同時提升27%的性能以及降低40%的功耗。

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藉助10納米工藝製程，驍龍835所支持的QC 4.0快充技術更加引人注目：它能夠讓手機在15分鐘內充電超過50%，這就意味著碎片化的充電更具效率，能夠明顯提升手機的整體續航。

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目前驍龍835已經投入生產，預計搭載驍龍835處理器的設備將會在2017年上半年陸續出貨。

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業內人士紛紛猜測，此次高通與三星合作研發，很可能意味著明年首發驍龍835晶片的機型很有可能就是三星Galaxy S8手機。最關鍵的是，使用了QC 4.0的S8將有更加安全的保障。

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